Ieu bisa dibagi kana DC magnetron sputtering na RF magnetron sputtering.
Metoda sputtering DC merlukeun udagan bisa mindahkeun muatan positif dicandak ti prosés bombardment ion ka katoda dina kontak nutup jeung eta, lajeng metoda ieu ngan bisa sputter data konduktor, nu teu cocog pikeun data insulasi, sabab muatan ion dina beungeut cai teu bisa neutralized nalika bombarding udagan insulasi, nu bakal ngakibatkeun kanaékan poténsi dina beungeut target, sarta ampir kabéh tegangan dilarapkeun dilarapkeun ka udagan, jadi Chances akselerasi ion sarta ionisasi antara dua kutub bakal ngurangan, atawa malah teu bisa ionized, Ieu ngakibatkeun kagagalan ngurangan kontinyu, malah gangguan ngurangan tur sputtering interupsi.Ku alatan éta, sputtering frekuensi radio (RF) kedah dianggo pikeun insulasi target atanapi target non-logam kalayan konduktivitas goréng.
Prosés sputtering ngalibatkeun prosés paburencay kompléks jeung sagala rupa prosés mindahkeun énergi: kahiji, partikel kajadian tabrakan elastis jeung atom target, sarta bagian tina énergi kinétik partikel kajadian bakal dikirimkeun ka atom target.Énergi kinétik sababaraha atom target ngaleuwihan panghalang poténsial dibentuk ku atom séjén sabudeureun éta (5-10ev pikeun logam), lajeng aranjeunna knocked kaluar tina kisi kisi kisi pikeun ngahasilkeun atom off-situs, Sarta salajengna ngulang tabrakan jeung atom padeukeut. , hasilna cascade tabrakan.Nalika kaskade tabrakan ieu ngahontal permukaan udagan, upami énergi kinétik atom anu caket kana permukaan udagan langkung ageung tibatan énergi beungkeutan permukaan (1-6ev pikeun logam), atom ieu bakal misah tina permukaan target. jeung asupkeun vakum.
Sputtering coating nyaeta skill ngagunakeun partikel muatan pikeun bombard beungeut udagan dina vakum sangkan partikel bombarded ngumpulkeun dina substrat.Ilaharna, pelepasan glow gas inert tekanan rendah dianggo pikeun ngahasilkeun ion kajadian.Target katoda dijieunna tina bahan palapis, substrat dipaké salaku anoda, 0.1-10pa argon atawa gas mulya séjén diwanohkeun kana chamber vakum, sarta ngurangan glow lumangsung dina aksi katoda (target) 1-3kv DC négatip tinggi. tegangan atawa 13.56MHz RF tegangan.Ion argon terionisasi bombard beungeut udagan, ngabalukarkeun atom target mun Santika jeung ngumpulkeun dina substrat pikeun ngabentuk film ipis.Ayeuna, aya seueur metode sputtering, utamina kalebet sputtering sekundér, sputtering tersiér atanapi kuarterner, sputtering magnetron, sputtering target, sputtering RF, sputtering bias, sputtering RF komunikasi asimétri, sputtering sinar ion sareng sputtering réaktif.
Kusabab atom sputtered splashed kaluar sanggeus exchanging énergi kinétik jeung ion positif jeung puluhan énergi volt éléktron, atom sputtered boga énergi tinggi, nu kondusif pikeun ngaronjatkeun kamampuh dispersi atom salila stacking, ngaronjatkeun fineness susunan stacking, sarta nyieun. pilem anu disiapkeun gaduh adhesion anu kuat sareng substrat.
Salila sputtering, sanggeus gas ieu ionized, ion gas ngapung ka target disambungkeun ka katoda dina aksi médan listrik, sarta éléktron ngapung ka rohangan témbok grounded jeung substrat.Ku cara kieu, dina tegangan lemah sareng tekanan rendah, jumlah ion leutik sareng kakuatan sputtering udagan rendah;Dina tegangan tinggi jeung tekanan tinggi, sanajan leuwih ion bisa lumangsung, éléktron ngalayang ka substrat boga énergi tinggi, nu gampang panas substrat komo sputtering sekundér, mangaruhan kualitas pilem.Salaku tambahan, kamungkinan tabrakan antara atom target sareng molekul gas dina prosés ngalayang ka substrat ogé ningkat pisan.Ku alatan éta, éta bakal sumebar ka sakabeh rohangan, nu teu ngan bakal runtah udagan, tapi ogé ngotoran unggal lapisan salila persiapan film multilayer.
Dina raraga ngajawab shortcomings luhur, DC magnetron sputtering téhnologi dikembangkeun dina 1970s.Ieu éféktif overcomes shortcomings laju sputtering katoda low jeung kanaékan suhu substrat disababkeun ku éléktron.Ku alatan éta, éta geus dimekarkeun gancang sarta loba dipaké.
Prinsipna nyaéta kieu: dina magnetron sputtering, sabab éléktron anu gerakna dikenaan gaya Lorentz dina médan magnét, orbit gerakna bakal tortuous atanapi malah gerak spiral, sareng jalur gerakna bakal langkung panjang.Ku alatan éta, jumlah tabrakan jeung molekul gas digawé ngaronjat, ku kituna dénsitas plasma ngaronjat, lajeng laju sputtering magnetron ieu greatly ningkat, sarta eta tiasa dianggo dina tegangan sputtering handap sarta tekanan pikeun ngurangan kacenderungan polusi pilem;Di sisi séjén, éta ogé ngaronjatkeun énergi kajadian atom dina beungeut substrat, jadi kualitas pilem bisa ningkat ka extent hébat.Dina waktu nu sarua, nalika éléktron nu leungit énergi ngaliwatan sababaraha tabrakan ngahontal anoda, maranéhna geus jadi éléktron low-énergi, lajeng substrat moal overheat.Ku alatan éta, magnetron sputtering boga kaunggulan "speed tinggi" jeung "suhu low".The disadvantage sahiji metodeu ieu yén pilem insulator teu bisa disiapkeun, sarta médan magnét henteu rata dipaké dina éléktroda magnetron bakal ngakibatkeun etching jelas henteu rata tina udagan, hasilna laju utilization low tina target, nu umumna ngan 20% - 30 %.
waktos pos: May-16-2022