Targetna ngagaduhan seueur fungsi sareng aplikasi anu lega dina seueur widang.Parabot sputtering anyar ampir ngagunakeun magnet kuat pikeun spiral éléktron pikeun ngagancangkeun ionisasi argon sabudeureun udagan, nu ngaronjatkeun probabilitas tabrakan antara target jeung ion argon,
Ningkatkeun laju sputtering.Sacara umum, DC sputtering dianggo pikeun palapis logam, sedengkeun komunikasi RF sputtering dianggo pikeun bahan magnet keramik non-conductive.Prinsip dasarna nyaéta ngagunakeun glow discharge pikeun pencét argon (AR) ion dina beungeut udagan dina vakum, sarta kation dina plasma bakal ngagancangkeun rurusuhan ka permukaan éléktroda négatip salaku bahan splashed.Dampak ieu bakal ngajantenkeun bahan udagan ngalayang kaluar sareng deposit dina substrat pikeun ngabentuk pilem.
Sacara umum, aya sababaraha fitur palapis pilem ngagunakeun prosés sputtering:
(1) Metal, alloy atawa insulator bisa dijieun kana data pilem ipis.
(2) Dina kaayaan setting luyu, pilem kalawan komposisi sarua bisa dijieun tina sababaraha target na disordered.
(3) Campuran atawa sanyawa bahan udagan jeung molekul gas bisa dijieun ku nambahkeun oksigén atawa gas aktif lianna dina atmosfir ngurangan.
(4) Input target ayeuna sareng waktos sputtering tiasa dikontrol, sareng gampang pikeun kéngingkeun ketebalan pilem-precision tinggi.
(5) Mangpaat pikeun produksi pilem séjén.
(6) Partikel sputtered boro kapangaruhan ku gravitasi, sarta udagan jeung substrat bisa diatur kalawan bébas.
waktos pos: May-24-2022