Polysilicon mangrupikeun bahan target sputtering anu penting.Ngagunakeun métode sputtering magnetron nyiapkeun SiO2 sarta film ipis lianna bisa nyieun bahan matrix boga optik hadé, diéléktrik jeung lalawanan korosi, nu loba dipaké dina layar toél, optik jeung industri lianna.
Prosés casting kristal panjang nyaéta pikeun ngawujudkeun solidification arah silikon cair ti handap ka luhur laun ku akurat ngadalikeun suhu manaskeun dina widang panas tina tungku ingot jeung dissipation panas tina bahan insulasi termal, jeung solidification speed kristal panjang nyaeta 0.8 ~ 1.2cm / h.Dina waktu nu sarua, dina prosés solidification arah, pangaruh segregation unsur logam dina bahan silikon bisa direalisasikeun, lolobana unsur logam bisa dimurnikeun, sarta struktur séréal polycrystalline seragam bisa kabentuk.
Casting polysilicon ogé perlu ngahaja doped dina prosés produksi, guna ngarobah konsentrasi pangotor akséptor dina silikon ngalembereh.The dopant utama p-tipe matak polysilicon di industri téh silikon boron master alloy, nu eusi boron nyaeta ngeunaan 0,025%.Jumlah doping ditangtukeun ku résistansi target tina wafer silikon.The résistansi optimal nyaéta 0,02 ~ 0,05 Ω • cm, sarta konsentrasi boron pakait nyaeta ngeunaan 2 × 1014cm-3。 Sanajan kitu, koefisien segregation of boron dina silikon nyaeta 0,8, nu bakal némbongkeun éfék segregation tangtu dina prosés solidification arah, éta mangrupa, unsur boron ieu disebarkeun dina gradién dina arah nangtung tina ingot, sarta résistansi laun nurun ti handap ka luhur ingot nu.
waktos pos: Jul-26-2022